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安森美推出全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET
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新器件縮小封裝尺寸60%,增強性能并減少損耗

2022年5月12日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),在PCIM Europe展會發布全球首款To-Leadless (TOLL) 封裝的碳化硅 (SiC) MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近,SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。

TOLL 封裝的尺寸僅為 9.90 mm x 11.68 mm,比 D2PAK 封裝的PCB 面積節省30%。而且,它的外形只有 2.30 mm,比 D2PAK 封裝的體積小 60%。

除了更小尺寸之外,TOLL 封裝還提供比 D2PAK 7 引腳更好的熱性能和更低的封裝電感 (2 nH)。 其開爾文源極(Kelvin source)配置可確保更低的門極噪聲和開關損耗 – 包括與沒有Kelvin配置的器件相比,導通損耗 (EON) 減少60%,確保在具有挑戰性的電源設計中能顯著提高能效和功率密度,以及改善電磁干擾(EMI) 和更容易進行PCB 設計。

安森美先進電源分部高級副總裁兼總經理 Asif Jakwani 說:“能在小空間內提供高度可靠的電源設計正成為許多領域的競爭優勢,包括工業、高性能電源和服務器應用。將我們同類最佳的 SiC MOSFET 封裝在TOLL 封裝中,不僅減小空間,還在諸多方面增強性能,如 EMI和降低損耗等,為市場提供高度可靠和堅固的高性能開關器件,將幫助電源設計人員解決對其嚴格的電源設計挑戰。”

SiC 器件比硅前輩具有明顯的優勢,包括增強高頻能效、更低的EMI、能在更高溫度下工作和更可靠。 安森美是唯一具有垂直集成能力的SiC方案供應商,包括 SiC 晶球生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案。

NTBL045N065SC1是首款采用 TOLL 封裝的 SiC MOSFET,適用于要求嚴苛的應用,包括開關電源 (SMPS)、服務器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS) 和儲能。 該器件適用于需要滿足最具挑戰性的能效標準的設計,包括 ErP 和 80 PLUS Titanium能效標準。

NTBL045N065SC1 的 VDSS額定值為 650 V,典型 RDS(on) 僅為 33 mΩ,最大電耗(ID) 為 73 A?;趯捊麕?WBG) SiC 技術,該器件的最高工作溫度為 175°C ,并擁有超低門極電荷 (QG(tot) = 105 nC),能顯著降低開關損耗。 此外,該TOLL 封裝是保證濕度敏感度等級1 (MSL1) ,以確保減少批量生產中的故障率。

此外,安森美還提供車規級器件,包括 TO-247 3 引腳、4 引腳和 D2PAK 7 引腳封裝。

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